IRLR8103VPBF详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET N-CH 30V 91A DPAK
- 系列:HEXFET®
- 制造商:International Rectifier
- FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET特点:逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444:30V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:91A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:9 毫欧 @ 15A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):3V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:27nC @ 5V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:2672pF @ 16V
- 功率_最大:115W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
- 供应商设备封装:D-Pak
- 包装:管件
IRLR8103VTRL详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET N-CH 30V 91A DPAK
- 系列:HEXFET®
- 制造商:International Rectifier
- FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET特点:逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444:30V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:91A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:9 毫欧 @ 15A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):3V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:27nC @ 5V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:2672pF @ 16V
- 功率_最大:115W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
- 供应商设备封装:D-Pak
- 包装:带卷 (TR)
IRLR8103VTRLPBF详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET N-CH 30V 91A DPAK
- 系列:HEXFET®
- 制造商:International Rectifier
- FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET特点:逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444:30V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:91A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:9 毫欧 @ 15A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):3V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:27nC @ 5V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:2672pF @ 16V
- 功率_最大:115W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
- 供应商设备封装:D-Pak
- 包装:带卷 (TR)
IRLR8103VTRPBF详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET N-CH 30V 91A DPAK
- 系列:HEXFET®
- 制造商:International Rectifier
- FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET特点:逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444:30V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:91A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:9 毫欧 @ 15A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):3V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:27nC @ 5V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:2672pF @ 16V
- 功率_最大:115W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
- 供应商设备封装:D-Pak
- 包装:剪切带 (CT)
IRLR8103VTRPBF详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET N-CH 30V 91A DPAK
- 系列:HEXFET®
- 制造商:International Rectifier
- FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET特点:逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444:30V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:91A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:9 毫欧 @ 15A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):3V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:27nC @ 5V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:2672pF @ 16V
- 功率_最大:115W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
- 供应商设备封装:D-Pak
- 包装:Digi-Reel®
IRLR8103VTRPBF详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET N-CH 30V 91A DPAK
- 系列:HEXFET®
- 制造商:International Rectifier
- FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET特点:逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444:30V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:91A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:9 毫欧 @ 15A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):3V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:27nC @ 5V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:2672pF @ 16V
- 功率_最大:115W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
- 供应商设备封装:D-Pak
- 包装:带卷 (TR)
- Card Edge, Edgeboard Connectors Sullins Connector Solutions CONN EDGECARD 120PS DIP .100 SLD
- 评估板 - 运算放大器 Intersil 16-SSOP(0.154",3.90mm 宽) EVALUATION BOARD FOR ISL28273
- FET - 单 International Rectifier TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 MOSFET N-CH 30V 91A DPAK
- 配件 Omron Electronics Inc-IA Div REFLECTOR 80X60MM HARD ACRYLIC
- PMIC - 稳压器 - 线性 Intersil 6-UFDFN 裸露焊盘 IC REG LDO LN 1.2/1.8V 6UTDFN
- 接口 - 专用 Intersil 16-VFQFN 裸露焊盘 IC EQUALIZER REC 11.3GBPS 46QFN
- 二极管,整流器 Vishay Semiconductors INT-A-PAK(3) DIODE STD REC 1600V 230A INTAPAK
- 背板 - 硬公制,标准 FCI CONN HEADER 125POS TYPE B R/A
- Card Edge, Edgeboard Connectors Sullins Connector Solutions CONN EDGECARD 120POS .100 EYELET
- 配件 Omron Electronics Inc-IA Div REFLECTOR 80X60MM HARD ACRYLIC
- PMIC - 稳压器 - 线性 Intersil 6-UFDFN 裸露焊盘 IC REG LDO LN 1.2/1.8V 6UTDFN
- 线性 - 放大器 - 视频放大器和频缓冲器 Intersil 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) IC VIDEO AMP RESTORED 250MHZ SO8
- 二极管,整流器 Vishay Semiconductors ADD-A-PAK(3) DIODE STD REC 1000V 60A ADDAPAK
- 背板 - 硬公制,标准 FCI CONN HEADER 55POS TYPE C R/A
- Card Edge, Edgeboard Connectors Sullins Connector Solutions CONN EDGECARD 120POS .100 EYELET