IRL530详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET N-CH 100V 15A TO-220AB
- 系列:-
- 制造商:Vishay Siliconix
- FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET特点:逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444:100V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:15A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:160 毫欧 @ 9A,5V
- Id时的Vgs333th444(最大):2V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:28nC @ 5V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:930pF @ 25V
- 功率_最大:88W
- 安装类型:通孔
- 封装/外壳:TO-220-3
- 供应商设备封装:TO-220AB
- 包装:管件
IRL530A详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET N-CH 100V 14A TO-220
- 系列:-
- 制造商:Fairchild Semiconductor
- FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET特点:标准
- 漏极至源极电压333Vdss444:100V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:14A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:120 毫欧 @ 7A,5V
- Id时的Vgs333th444(最大):2V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:24nC @ 5V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:755pF @ 25V
- 功率_最大:62W
- 安装类型:通孔
- 封装/外壳:TO-220-3
- 供应商设备封装:TO-220
- 包装:管件
IRL530L详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET N-CH 100V 15A TO-262
- 系列:HEXFET®
- 制造商:Vishay Siliconix
- FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET特点:逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444:100V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:15A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:160 毫欧 @ 9A,5V
- Id时的Vgs333th444(最大):2V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:28nC @ 5V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:930pF @ 25V
- 功率_最大:88W
- 安装类型:通孔
- 封装/外壳:TO-262-3,长引线,I²Pak,TO-262AA
- 供应商设备封装:TO-262-3
- 包装:管件
IRL530NL详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET N-CH 100V 17A TO-262
- 系列:HEXFET®
- 制造商:International Rectifier
- FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET特点:逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444:100V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:17A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:100 毫欧 @ 9A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):2V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:34nC @ 5V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:800pF @ 25V
- 功率_最大:3.8W
- 安装类型:通孔
- 封装/外壳:TO-262-3,长引线,I²Pak,TO-262AA
- 供应商设备封装:TO-262
- 包装:管件
IRL530NPBF详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET N-CH 100V 17A TO-220AB
- 系列:HEXFET®
- 制造商:International Rectifier
- FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET特点:逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444:100V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:17A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:100 毫欧 @ 9A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):2V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:34nC @ 5V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:800pF @ 25V
- 功率_最大:79W
- 安装类型:通孔
- 封装/外壳:TO-220-3
- 供应商设备封装:TO-220AB
- 包装:管件
IRL530NS详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET N-CH 100V 17A D2PAK
- 系列:HEXFET®
- 制造商:International Rectifier
- FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET特点:逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444:100V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:17A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:100 毫欧 @ 9A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):2V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:34nC @ 5V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:800pF @ 25V
- 功率_最大:3.8W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB
- 供应商设备封装:D2PAK
- 包装:管件
- 配件 Digital View Inc KIT OSD BRD W/CBL ACG/AVP/SVP/SV
- 模块 - 带磁性元件的插座 Pulse Electronics Corporation 模块 CONN PULSEJACK 1X2 PORT GIGABIT
- FET - 单 Vishay Siliconix TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB MOSFET N-CH 100V 9.2A D2PAK
- 电容器 United Chemi-Con 径向,Can - 卡入式 CAP ALUM 1800UF 250V 20% SNAP
- AC DC 转换器 Emerson Network Power/Embedded Power IMP CONFIGURABLE POWER SUPPLY
- 圆形 - 外壳 ITT Cannon CONN HSG WALL MNT RCPT 6POS
- 连接器,互连器件 ITT Cannon CONN PLUG 8POS W/SKT CABLE
- 连接器,互连器件 ITT Cannon CONN RCPT 41POS W/PIN WALL
- 配件 Digital View Inc KIT OSD BRD W/CBL ACG/AVP/SVP/SV
- AC DC 转换器 Emerson Network Power/Embedded Power IMP CONFIGURABLE POWER SUPPLY
- 连接器,互连器件 ITT Cannon CONN RCPT 6POS WALL MNT W/SCKT
- 电容器 United Chemi-Con 径向,Can - 卡入式 CAP ALUM 270UF 250V 20% SNAP
- 连接器,互连器件 ITT Cannon CONN PLUG 8POS CABLE W/SKT
- 连接器,互连器件 ITT Cannon CONN RCPT 36POS WALL MNT SKT
- 模块 - 带磁性元件的插座 Pulse Electronics Corporation 模块 1X6 GIGABIT CONNECTOR BST W/LEDS