IRL2203N详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET N-CH 30V 116A TO-220AB
- 系列:HEXFET®
- 制造商:International Rectifier
- FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET特点:逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444:30V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:116A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:7 毫欧 @ 60A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):1V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:60nC @ 4.5V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:3290pF @ 25V
- 功率_最大:180W
- 安装类型:通孔
- 封装/外壳:TO-220-3
- 供应商设备封装:TO-220AB
- 包装:管件
IRL2203NL详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET N-CH 30V 116A TO-262
- 系列:HEXFET®
- 制造商:International Rectifier
- FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET特点:逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444:30V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:116A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:7 毫欧 @ 60A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):3V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:60nC @ 4.5V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:3290pF @ 25V
- 功率_最大:3.8W
- 安装类型:通孔
- 封装/外壳:TO-262-3,长引线,I²Pak,TO-262AA
- 供应商设备封装:TO-262
- 包装:管件
IRL2203NLPBF详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET N-CH 30V 116A TO-262
- 系列:HEXFET®
- 制造商:International Rectifier
- FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET特点:逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444:30V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:116A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:7 毫欧 @ 60A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):3V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:60nC @ 4.5V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:3290pF @ 25V
- 功率_最大:3.8W
- 安装类型:通孔
- 封装/外壳:TO-262-3,长引线,I²Pak,TO-262AA
- 供应商设备封装:TO-262
- 包装:管件
IRL2203NPBF详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET N-CH 30V 116A TO-220AB
- 系列:HEXFET®
- 制造商:International Rectifier
- FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET特点:逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444:30V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:116A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:7 毫欧 @ 60A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):1V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:60nC @ 4.5V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:3290pF @ 25V
- 功率_最大:180W
- 安装类型:通孔
- 封装/外壳:TO-220-3
- 供应商设备封装:TO-220AB
- 包装:管件
IRL2203NS详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET N-CH 30V 116A D2PAK
- 系列:HEXFET®
- 制造商:International Rectifier
- FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET特点:逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444:30V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:116A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:7 毫欧 @ 60A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):3V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:60nC @ 4.5V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:3290pF @ 25V
- 功率_最大:3.8W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB
- 供应商设备封装:D2PAK
- 包装:管件
IRL2203NSPBF详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET N-CH 30V 116A D2PAK
- 系列:HEXFET®
- 制造商:International Rectifier
- FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET特点:逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444:30V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:116A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:7 毫欧 @ 60A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):3V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:60nC @ 4.5V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:3290pF @ 25V
- 功率_最大:3.8W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB
- 供应商设备封装:D2PAK
- 包装:管件
- 电池组 Panasonic - BSG BATTERY PACK NIMH 10.8V 6500 MAH
- 接口 - 模拟开关,多路复用器,多路分解器 Intersil 20-SSOP(0.209",5.30mm 宽) IC SWITCH QUAD SPDT 20SSOP
- SCR Vishay Semiconductors ADD-A-PAK(3 + 4) SCR CC 2SCR 1200V 90A ADD-A-PAK
- 配件 Omron Electronics Inc-IA Div 8-DIP 模块,1/8 砖 ADJUSTABLE APERTURE
- 接口 - 语音录制和重放 Nuvoton Technology Corporation of America 28-TSSOP (0.465", 11.80mm 宽) IC VOICE REC/PLAY 60SEC 28-TSOP
- PMIC - 稳压器 - DC DC 切换控制器 Intersil 16-VQFN 裸露焊盘 IC REG CTRLR BUCK PWM VM 16-QFN
- 光隔离器 - 逻辑输出 Fairchild Optoelectronics Group 8-DIP(0.300",7.62mm) OPTOCOUPLER AC/DC-LOGIC 8-DIP
- FET - 单 International Rectifier TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 MOSFET N-CH 200V 9.4A DPAK
- 接口 - 模拟开关,多路复用器,多路分解器 Intersil 20-VFQFN 裸露焊盘 IC SWITCH QUAD SPDT 20QFN
- 接口 - 语音录制和重放 Nuvoton Technology Corporation of America 28-SOIC(0.295",7.50mm 宽) IC VOICE REC/PLAY 60-SEC 28-SOIC
- 配件 Omron Electronics Inc-IA Div 8-DIP 模块,1/8 砖 ADJUSTABLE APERTURE
- PMIC - 稳压器 - DC DC 切换控制器 Intersil 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) IC REG CTRLR BUCK PWM VM 8-SOIC
- 光隔离器 - 逻辑输出 Avago Technologies US Inc. 8-DIP(0.300",7.62mm) OPTOCOUPLER AC/DC LOGIC 8-DIP
- FET - 单 International Rectifier TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 MOSFET N-CH 200V 9.4A DPAK
- 电池,充电式(蓄电池) Panasonic - BSG BATTERY NIMH 1.2V 650MAH W/TAB