IRL1404L详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET N-CH 40V 160A TO-262
- 系列:HEXFET®
- 制造商:International Rectifier
- FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET特点:标准
- 漏极至源极电压333Vdss444:40V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:160A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:4 毫欧 @ 95A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):3V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:140nC @ 5V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:6600pF @ 25V
- 功率_最大:200W
- 安装类型:通孔
- 封装/外壳:TO-262-3,长引线,I²Pak,TO-262AA
- 供应商设备封装:TO-262
- 包装:管件
IRL1404LPBF详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET N-CH 40V 160A TO-262
- 系列:HEXFET®
- 制造商:International Rectifier
- FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET特点:标准
- 漏极至源极电压333Vdss444:40V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:160A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:4 毫欧 @ 95A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):3V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:140nC @ 5V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:6600pF @ 25V
- 功率_最大:3.8W
- 安装类型:通孔
- 封装/外壳:TO-262-3,长引线,I²Pak,TO-262AA
- 供应商设备封装:TO-262
- 包装:管件
IRL1404PBF详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET N-CH 40V 160A TO-220AB
- 系列:HEXFET®
- 制造商:International Rectifier
- FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET特点:标准
- 漏极至源极电压333Vdss444:40V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:160A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:4 毫欧 @ 95A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):3V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:140nC @ 5V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:6590pF @ 25V
- 功率_最大:200W
- 安装类型:通孔
- 封装/外壳:TO-220-3
- 供应商设备封装:TO-220AB
- 包装:管件
IRL1404S详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET N-CH 40V 160A D2PAK
- 系列:HEXFET®
- 制造商:International Rectifier
- FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET特点:标准
- 漏极至源极电压333Vdss444:40V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:160A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:4 毫欧 @ 95A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):3V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:140nC @ 5V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:6600pF @ 25V
- 功率_最大:200W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB
- 供应商设备封装:D2PAK
- 包装:管件
IRL1404SPBF详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET N-CH 40V 160A D2PAK
- 系列:HEXFET®
- 制造商:International Rectifier
- FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET特点:标准
- 漏极至源极电压333Vdss444:40V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:160A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:4 毫欧 @ 95A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):3V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:140nC @ 5V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:6600pF @ 25V
- 功率_最大:3.8W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB
- 供应商设备封装:D2PAK
- 包装:管件
IRL1404STRLPBF详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET N-CH 40V 160A D2PAK
- 系列:HEXFET®
- 制造商:International Rectifier
- FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET特点:标准
- 漏极至源极电压333Vdss444:40V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:160A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:4 毫欧 @ 95A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):3V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:140nC @ 5V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:6600pF @ 25V
- 功率_最大:3.8W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB
- 供应商设备封装:D2PAK
- 包装:带卷 (TR)
- 存储器 Cypress Semiconductor Corp 44-BSOJ IC SRAM 4MBIT 15NS 44SOJ
- IGBT - 单路 IXYS TO-247-3 IGBT 1200V 75A SCSOA TO-247
- FET - 单 International Rectifier TO-262-3,长引线,I²Pak,TO-262AA MOSFET N-CH 40V 160A TO-262
- 陶瓷 Murata Electronics North America 0603(1608 公制) CAP CER 7.8PF 100V NP0 0603
- 陶瓷 Murata Electronics North America 0603(1608 公制) CAP CER 5.9PF 50V R2H 0603
- 接口 - 模拟开关,多路复用器,多路分解器 Intersil 10-TFSOP,10-MSOP(0.118",3.00mm 宽) IC SWITCH DUAL DPDT 10MSOP
- TVS - 其它复合 IXYS 径向 IC DIODE MODULE BOD 0.7A 3800V
- 配件 Cypress Semiconductor Corp MCU PSOC EMU POD FOR ALL SSOP PK
- IGBT - 单路 IXYS TO-264-3,TO-264AA IGBT 600V 80A SCSOA TO-264
- 陶瓷 Murata Electronics North America 0603(1608 公制) CAP CER 7.9PF 100V NP0 0603
- 接口 - 模拟开关,多路复用器,多路分解器 Intersil 8-DIP(0.300",7.62mm) IC SWITCH DUAL SPST 8DIP
- 陶瓷 Murata Electronics North America 0603(1608 公制) CAP CER 75PF 50V 5% R2H 0603
- IGBT - 单路 IXYS TO-268-3,D³Pak(2 引线+接片),TO-268AA IGBT BIPO 1700V 60A 250W TO268
- 配件 Cypress Semiconductor Corp PSOC EMU POD FEET FOR 8-DIP
- 存储器 Cypress Semiconductor Corp 44-TSOP(0.400",10.16mm 宽) IC SRAM 4MBIT 20NS 44TSOP