IRFR9N20DTR 全国供应商、价格、PDF资料
IRFR9N20DTR详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET N-CH 200V 9.4A DPAK
- 系列:HEXFET®
- 制造商:International Rectifier
- FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET特点:标准
- 漏极至源极电压333Vdss444:200V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:9.4A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:380 毫欧 @ 5.6A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):5.5V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:27nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:560pF @ 25V
- 功率_最大:86W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
- 供应商设备封装:D-Pak
- 包装:带卷 (TR)
IRFR9N20DTRL详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET N-CH 200V 9.4A DPAK
- 系列:HEXFET®
- 制造商:International Rectifier
- FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET特点:标准
- 漏极至源极电压333Vdss444:200V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:9.4A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:380 毫欧 @ 5.6A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):5.5V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:27nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:560pF @ 25V
- 功率_最大:86W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
- 供应商设备封装:D-Pak
- 包装:带卷 (TR)
IRFR9N20DTRLPBF详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET N-CH 200V 9.4A DPAK
- 系列:HEXFET®
- 制造商:International Rectifier
- FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET特点:标准
- 漏极至源极电压333Vdss444:200V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:9.4A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:380 毫欧 @ 5.6A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):5.5V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:27nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:560pF @ 25V
- 功率_最大:86W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
- 供应商设备封装:D-Pak
- 包装:带卷 (TR)
IRFR9N20DTRPBF详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET N-CH 200V 9.4A DPAK
- 系列:HEXFET®
- 制造商:International Rectifier
- FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET特点:标准
- 漏极至源极电压333Vdss444:200V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:9.4A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:380 毫欧 @ 5.6A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):5.5V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:27nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:560pF @ 25V
- 功率_最大:86W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
- 供应商设备封装:D-Pak
- 包装:Digi-Reel®
IRFR9N20DTRPBF详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET N-CH 200V 9.4A DPAK
- 系列:HEXFET®
- 制造商:International Rectifier
- FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET特点:标准
- 漏极至源极电压333Vdss444:200V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:9.4A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:380 毫欧 @ 5.6A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):5.5V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:27nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:560pF @ 25V
- 功率_最大:86W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
- 供应商设备封装:D-Pak
- 包装:带卷 (TR)
IRFR9N20DTRPBF详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET N-CH 200V 9.4A DPAK
- 系列:HEXFET®
- 制造商:International Rectifier
- FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET特点:标准
- 漏极至源极电压333Vdss444:200V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:9.4A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:380 毫欧 @ 5.6A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):5.5V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:27nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:560pF @ 25V
- 功率_最大:86W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
- 供应商设备封装:D-Pak
- 包装:剪切带 (CT)
- 嵌入式 - CPLD(复杂可编程逻辑器件) Lattice Semiconductor Corporation 144-LQFP IC FPGA 2.28KLUTS 144TQFP
- FET - 单 Vishay Siliconix TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 MOSFET P-CH 400V 1.8A DPAK
- PMIC - 稳压器 - 线性 Fairchild Semiconductor TO-220-3 IC REG LDO -8V 1A TO-220
- 按钮 E-Switch 塑模磁珠 SWITCH PUSH SPDT 0.3A 30V
- 保险丝 - 电气,特制 Littelfuse Inc Hockey Puck FUSE SEMICONDUCTOR 3500A 300VAC
- 固定式 Kemet 0603(1608 公制) INDUCTOR HI FREQ 150NH 5% 0603
- PMIC - MOSFET,电桥驱动器 - 外部开关 International Rectifier 14-SOIC(0.154",3.90mm 宽) IC DRIVER HALF-BRIDGE 14-SOIC
- 陶瓷 Vishay BC Components 径向 CAP CER 0.047UF 200V 10% RADIAL
- 嵌入式 - CPLD(复杂可编程逻辑器件) Lattice Semiconductor Corporation 132-LFBGA,CSPBGA IC PLD 2280LUTS 101I/O 132-BGA
- 配件 Alpha Wire 塑模磁珠 WIRE LACING CORD & TAPE 50LBS
- 显示器模块 - LED 字符与数字 Rohm Semiconductor 10-DIP(0.300",7.62mm) DISPLAY 7SEG 10.16MM 1DGT BLU CA
- 固定式 Kemet 0603(1608 公制) INDUCTOR HI FREQ 150NH 5% 0603
- PMIC - MOSFET,电桥驱动器 - 外部开关 International Rectifier 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) IC DRIVER HALF BRIDGE 8SOIC
- 陶瓷 Vishay BC Components 径向 CAP CER 0.047UF 200V 10% RADIAL
- 嵌入式 - CPLD(复杂可编程逻辑器件) Lattice Semiconductor Corporation 132-LFBGA,CSPBGA IC PLD 4320LUTS 132-CSBGA