IRFI744G详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET N-CH 450V 4.9A TO220FP
- 系列:-
- 制造商:Vishay Siliconix
- FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET特点:标准
- 漏极至源极电压333Vdss444:450V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:4.9A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:630 毫欧 @ 2.9A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):4V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:80nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:1400pF @ 25V
- 功率_最大:40W
- 安装类型:通孔
- 封装/外壳:TO-220-3 全封装,隔离接片
- 供应商设备封装:TO-220-3
- 包装:管件
IRFI744GPBF详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET N-CH 450V 4.9A TO220FP
- 系列:-
- 制造商:Vishay Siliconix
- FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET特点:标准
- 漏极至源极电压333Vdss444:450V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:4.9A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:630 毫欧 @ 2.9A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):4V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:80nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:1400pF @ 25V
- 功率_最大:40W
- 安装类型:通孔
- 封装/外壳:TO-220-3 全封装,隔离接片
- 供应商设备封装:TO-220-3
- 包装:管件
- 单二极管/整流器 Infineon Technologies TO-220-2 DIODE SCHOTTKY 600V 6A TO220-2
- 网络、阵列 Panasonic Electronic Components 0804(2010 公制),凹陷 RES ARRAY 220K OHM 4 RES 0804
- FET - 单 Vishay Siliconix TO-220-3 全封装,隔离接片 MOSFET N-CH 450V 3.4A TO220FP
- 同轴,RF Laird Technologies IAS 0603(1608 公制) CONN SMB MALE
- FET - 单 Vishay Siliconix TO-220-3 全封装,隔离接片 MOSFET N-CH 400V 5.7A TO220FP
- 芯片电阻 - 表面安装 Vishay Dale 2512(6432 公制) RES 27.4 OHM 1W 1% 2512 SMD
- 单二极管/整流器 Infineon Technologies TO-220-2 DIODE SCHOTTKY 600V 9A TO220-2
- 铁氧体磁珠和芯片 Taiyo Yuden 0805(2012 公制) FERRITE BEAD 21 OHM 0805
- 同轴,RF Laird Technologies IAS 0603(1608 公制) CONN SMC MALE
- 同轴,RF Laird Technologies IAS 0603(1608 公制) CONN SMC FEMALE
- 芯片电阻 - 表面安装 Vishay Dale 2512(6432 公制) RES 280K OHM 1W 1% 2512 SMD
- FET - 单 Vishay Siliconix TO-220-3 全封装,隔离接片 MOSFET N-CH 500V 4.6A TO220FP
- 单二极管/整流器 Infineon Technologies TO-220-2 DIODE SCHOTTKY 600V 16A TO220-2
- 铁氧体磁珠和芯片 Taiyo Yuden 1206(3216 公制) FERRITE BEAD 80 OHM 1206
- 配件 Red Lion Controls MASTER MULTIPLE PROTOCOL CNVTR