IRFBA90N20D 全国供应商、价格、PDF资料
IRFBA90N20DPBF详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET N-CH 200V 98A SUPER-220
- 系列:HEXFET®
- 制造商:International Rectifier
- FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET特点:标准
- 漏极至源极电压333Vdss444:200V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:98A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:23 毫欧 @ 59A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):5V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:240nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:6080pF @ 25V
- 功率_最大:650W
- 安装类型:通孔
- 封装/外壳:Super-220?-3(直引线)
- 供应商设备封装:SUPER-220?(TO-273AA)
- 包装:管件
- FET - 单 International Rectifier 8-TSSOP,8-MSOP(0.118",3.00mm 宽) MOSFET P-CH 20V 1.7A MICRO8
- IGBT - 单路 Infineon Technologies TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 IGBT 600V 2.5A 53.6W TO252-3
- FET - 单 International Rectifier TO-220-3 MOSFET N-CH 150V 60A TO-220AB
- 配件 Red Lion Controls EIGHT INPUTS SIX SOLID STATE
- 网络、阵列 Panasonic Electronic Components 1608(4021 公制),凹陷 RES ARRAY 5.6K OHM 8 RES 1608
- 芯片电阻 - 表面安装 Vishay Dale 2512(6432 公制) RES 23.7K OHM 1.5W 1% 2512 SMD
- FET - 单 Vishay Siliconix TO-220-3 MOSFET N-CH 650V 8.5A TO-220AB
- IGBT - 单路 Infineon Technologies TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 IGBT 600V 12A 100W TO252-3
- FET - 单 International Rectifier 8-TSSOP,8-MSOP(0.118",3.00mm 宽) MOSFET P-CH 30V 2A MICRO8
- 芯片电阻 - 表面安装 Vishay Dale 2512(6432 公制) RES 23.7K OHM 1.5W 1% 2512 SMD
- 网络、阵列 Panasonic Electronic Components 1608(4021 公制),凹陷 RES ARRAY 68 OHM 8 RES 1608
- 单二极管/整流器 Comchip Technology DO-214AC,SMA DIODE SUPER FAST 1A 400V DO214AC
- FET - 单 Vishay Siliconix TO-262-3,长引线,I²Pak,TO-262AA MOSFET N-CH 600V 3.6A TO-262
- FET - 单 International Rectifier 8-TSSOP,8-MSOP(0.118",3.00mm 宽) MOSFET P-CH 20V 4.3A MICRO8
- IGBT - 单路 Infineon Technologies TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 IGBT 600V 20A 150W TO252-3