IRF7413ATR详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET N-CH 30V 12A 8-SOIC
- 系列:HEXFET®
- 制造商:International Rectifier
- FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET特点:逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444:30V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:12A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:13.5 毫欧 @ 6.6A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):1V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:79nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:1800pF @ 25V
- 功率_最大:2.5W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
- 供应商设备封装:8-SO
- 包装:带卷 (TR)
IRF7413GTRPBF详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET N-CH 30V 13A 8-SOIC
- 系列:HEXFET®
- 制造商:International Rectifier
- FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET特点:逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444:30V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:13A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:11 毫欧 @ 7.3A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):3V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:79nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:1800pF @ 25V
- 功率_最大:2.5W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
- 供应商设备封装:8-SO
- 包装:剪切带 (CT)
IRF7413GTRPBF详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET N-CH 30V 13A 8-SOIC
- 系列:HEXFET®
- 制造商:International Rectifier
- FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET特点:逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444:30V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:13A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:11 毫欧 @ 7.3A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):3V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:79nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:1800pF @ 25V
- 功率_最大:2.5W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
- 供应商设备封装:8-SO
- 包装:Digi-Reel®
IRF7413GTRPBF详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET N-CH 30V 13A 8-SOIC
- 系列:HEXFET®
- 制造商:International Rectifier
- FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET特点:逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444:30V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:13A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:11 毫欧 @ 7.3A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):3V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:79nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:1800pF @ 25V
- 功率_最大:2.5W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
- 供应商设备封装:8-SO
- 包装:带卷 (TR)
IRF7413PBF详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET N-CH 30V 13A 8-SOIC
- 系列:HEXFET®
- 制造商:International Rectifier
- FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET特点:逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444:30V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:13A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:11 毫欧 @ 7.3A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):3V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:79nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:1800pF @ 25V
- 功率_最大:2.5W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
- 供应商设备封装:8-SO
- 包装:管件
IRF7413QTRPBF详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET N-CH 30V 13A 8-SOIC
- 系列:HEXFET®
- 制造商:International Rectifier
- FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET特点:逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444:30V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:13A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:11 毫欧 @ 7.3A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):3V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:79nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:1800pF @ 25V
- 功率_最大:2.5W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
- 供应商设备封装:8-SO
- 包装:剪切带 (CT)
- AC DC 转换器 Emerson Network Power/Embedded Power MP CONFIGURABLE POWER SUPPLY
- 光学 - 光电检测器 - 光电晶体管 TT Electronics/Optek Technology 2-SMD,Z形弯曲d PHOTOTRANSISTOR NPN SND REV GULL
- 接口 - I/O 扩展器 NXP Semiconductors 16-VFQFN 裸露焊盘 IC I/O EXPANDER I2C 8B 16HVQFN
- 接口 - 编解码器 Texas Instruments 28-SSOP(0.209",5.30mm 宽) IC STEREO AUD CODEC W/USB 28SSOP
- 按钮 Electroswitch SWITCH PUSHBUTTON SPDT 6A 125V
- FET - 单 International Rectifier 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) MOSFET N-CH 30V 13A 8-SOIC
- AC DC 转换器 Emerson Network Power/Embedded Power MP CONFIGURABLE POWER SUPPLY
- 接口 - I/O 扩展器 NXP Semiconductors 16-TSSOP(0.173",4.40mm 宽) IC I/O EXPANDER I2C 8B 16TSSOP
- 接口 - 编解码器 Texas Instruments 28-SSOP(0.209",5.30mm 宽) IC STEREO AUD CODEC W/USB 28SSOP
- 按钮 Electroswitch SWITCH PUSHBUTTON SPDT 6A 125V
- AC DC 转换器 Emerson Network Power/Embedded Power HC49/U MP CONFIGURABLE POWER SUPPLY
- 通孔电阻器 Stackpole Electronics Inc 轴向 RES 91K OHM 1/4W 5% CARBON FILM
- 接口 - 编解码器 Texas Instruments 28-SSOP(0.209",5.30mm 宽) IC STEREO AUD CODEC W/USB 28SSOP
- 接口 - I/O 扩展器 NXP Semiconductors 24-TSSOP(0.173",4.40mm 宽) IC I/O EXPANDER I2C 16B 24TSSOP
- 光学 - 光电检测器 - 光电晶体管 TT Electronics/Optek Technology 丸状 PHOTOTRNS SILCN NPN HERMETC PILL