IRF6215S详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET P-CH 150V 13A D2PAK
- 系列:HEXFET®
- 制造商:International Rectifier
- FET型:MOSFET P 通道,金属氧化物
- FET特点:标准
- 漏极至源极电压333Vdss444:150V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:13A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:290 毫欧 @ 6.6A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):4V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:66nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:860pF @ 25V
- 功率_最大:3.8W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB
- 供应商设备封装:D2PAK
- 包装:管件
IRF6215SPBF详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET P-CH 150V 13A D2PAK
- 系列:HEXFET®
- 制造商:International Rectifier
- FET型:MOSFET P 通道,金属氧化物
- FET特点:标准
- 漏极至源极电压333Vdss444:150V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:13A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:290 毫欧 @ 6.6A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):4V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:66nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:860pF @ 25V
- 功率_最大:3.8W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB
- 供应商设备封装:D2PAK
- 包装:管件
IRF6215STRLPBF详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET P-CH 150V 13A D2PAK
- 系列:HEXFET®
- 制造商:International Rectifier
- FET型:MOSFET P 通道,金属氧化物
- FET特点:标准
- 漏极至源极电压333Vdss444:150V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:13A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:290 毫欧 @ 6.6A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):4V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:66nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:860pF @ 25V
- 功率_最大:3.8W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB
- 供应商设备封装:D2PAK
- 包装:剪切带 (CT)
IRF6215STRLPBF详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET P-CH 150V 13A D2PAK
- 系列:HEXFET®
- 制造商:International Rectifier
- FET型:MOSFET P 通道,金属氧化物
- FET特点:标准
- 漏极至源极电压333Vdss444:150V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:13A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:290 毫欧 @ 6.6A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):4V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:66nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:860pF @ 25V
- 功率_最大:3.8W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB
- 供应商设备封装:D2PAK
- 包装:Digi-Reel®
IRF6215STRLPBF详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET P-CH 150V 13A D2PAK
- 系列:HEXFET®
- 制造商:International Rectifier
- FET型:MOSFET P 通道,金属氧化物
- FET特点:标准
- 漏极至源极电压333Vdss444:150V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:13A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:290 毫欧 @ 6.6A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):4V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:66nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:860pF @ 25V
- 功率_最大:3.8W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB
- 供应商设备封装:D2PAK
- 包装:带卷 (TR)
IRF6215STRR详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET P-CH 150V 13A D2PAK
- 系列:HEXFET®
- 制造商:International Rectifier
- FET型:MOSFET P 通道,金属氧化物
- FET特点:标准
- 漏极至源极电压333Vdss444:150V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:13A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:290 毫欧 @ 6.6A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):4V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:66nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:860pF @ 25V
- 功率_最大:3.8W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB
- 供应商设备封装:D2PAK
- 包装:带卷 (TR)
- 信号,高达 2 A Panasonic Electric Works 非标准 RELAY GEN PURPOSE SPDT 2A 12V
- FET - 单 International Rectifier TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB MOSFET P-CH 150V 13A D2PAK
- 圆形 - 外壳 TE Connectivity CONN HSG RCPT JAM NUT 41POS PIN
- Card Edge, Edgeboard Connectors Sullins Connector Solutions 4-SIP,GSIB-5S CONN EDGECARD 12POS DIP .156 SLD
- 连接器,互连器件 TE Connectivity CONN PLUG 22POS STRGHT W/PINS
- 连接器,互连器件 Amphenol Industrial Operations CONN RCPT 16POS BOX MNT W/PINS
- 连接器,互连器件 TE Connectivity CONN RCPT 41POS FLANGE W/PINS
- Linear - Amplifiers - Instrumentation, OP Amps, Buffer Amps Texas Instruments 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) IC OPAMP DIFF 1MHZ SGL 8SOIC
- 信号,高达 2 A Panasonic Electric Works 非标准 RELAY GEN PURPOSE SPDT 2A 24V
- Card Edge, Edgeboard Connectors Sullins Connector Solutions 4-SIP,GSIB-5S CONN EDGECARD 12POS R/A .156 SLD
- 连接器,互连器件 TE Connectivity CONN PLUG 22POS STRGHT W/SKT
- 连接器,互连器件 TE Connectivity CONN RCPT 41POS FLANGE W/SKT
- 连接器,互连器件 Amphenol Industrial Operations CONN RCPT 4POS BOX MNT W/PINS
- 信号,高达 2 A Panasonic Electric Works 非标准 RELAY GEN PURPOSE SPDT 2A 48V
- Linear - Amplifiers - Instrumentation, OP Amps, Buffer Amps Texas Instruments 16-SOIC(0.295",7.50mm 宽) IC OPAMP INSTR 2.5MHZ SGL 16SOIC