IRF3808SPBF详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET N-CH 75V 106A D2PAK
- 系列:HEXFET®
- 制造商:International Rectifier
- FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET特点:标准
- 漏极至源极电压333Vdss444:75V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:106A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:7 毫欧 @ 82A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):4V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:220nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:5310pF @ 25V
- 功率_最大:200W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB
- 供应商设备封装:D2PAK
- 包装:管件
IRF3808STRLPBF详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET N-CH 75V 106A D2PAK
- 系列:HEXFET®
- 制造商:International Rectifier
- FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET特点:标准
- 漏极至源极电压333Vdss444:75V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:106A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:7 毫欧 @ 82A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):4V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:220nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:5310pF @ 25V
- 功率_最大:200W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB
- 供应商设备封装:D2PAK
- 包装:Digi-Reel®
IRF3808STRLPBF详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET N-CH 75V 106A D2PAK
- 系列:HEXFET®
- 制造商:International Rectifier
- FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET特点:标准
- 漏极至源极电压333Vdss444:75V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:106A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:7 毫欧 @ 82A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):4V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:220nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:5310pF @ 25V
- 功率_最大:200W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB
- 供应商设备封装:D2PAK
- 包装:带卷 (TR)
IRF3808STRLPBF详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET N-CH 75V 106A D2PAK
- 系列:HEXFET®
- 制造商:International Rectifier
- FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET特点:标准
- 漏极至源极电压333Vdss444:75V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:106A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:7 毫欧 @ 82A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):4V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:220nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:5310pF @ 25V
- 功率_最大:200W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB
- 供应商设备封装:D2PAK
- 包装:剪切带 (CT)
IRF3808STRRPBF详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET N-CH 75V 106A D2PAK
- 系列:HEXFET®
- 制造商:International Rectifier
- FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET特点:标准
- 漏极至源极电压333Vdss444:75V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:106A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:7 毫欧 @ 82A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):4V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:220nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:5310pF @ 25V
- 功率_最大:200W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB
- 供应商设备封装:D2PAK
- 包装:带卷 (TR)
- 跳线,预压接线 Hirose Electric Co Ltd JUMPER-H1501TR/A2015V/H1501TR 6"
- FET - 单 International Rectifier 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) MOSFET N-CH 40V 10A 8-SOIC
- FET - 单 International Rectifier TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB MOSFET N-CH 75V 106A D2PAK
- 连接器,互连器件 LEMO SOT-563,SOT-666 PLUG CDA 7CTS C-COL
- FET - 单 Infineon Technologies TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 MOSFET N-CH 600V 1.7A TO252-3
- 跳线,预压接线 Hirose Electric Co Ltd JUMPER-H1500TR/A3049V/X 3"
- 连接器,互连器件 Amphenol Industrial Operations 轴向 CONN RCPT 12POS WALL MNT W/SCKT
- FET - 单 International Rectifier 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) MOSFET N-CH 40V 10A 8-SOIC
- 跳线,预压接线 Hirose Electric Co Ltd JUMPER-H1501TR/A3048B/H1501TR 8"
- FET - 单 Infineon Technologies TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 MOSFET N-CH 600V 1.7A TO252-3
- 连接器,互连器件 LEMO SOT-563,SOT-666 PLUG CDA 2CTS C-COL
- 跳线,预压接线 Hirose Electric Co Ltd JUMPER-H1500TR/A3048A/X 4"
- 连接器,互连器件 Amphenol Industrial Operations 轴向 CONN RCPT 19POS WALL MNT W/SCKT
- 其它 International Rectifier MOSFET N-CH 40V 120A TO-220AB
- FET - 单 International Rectifier 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) MOSFET N-CH 100V 6.9A 8-SOIC