IPB04N03LA详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET N-CH 25V 80A D2PAK
- 系列:OptiMOS™
- 制造商:Infineon Technologies
- FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET特点:逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444:25V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:80A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:3.9 毫欧 @ 55A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):2V @ 60µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:32nC @ 5V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:3877pF @ 15V
- 功率_最大:107W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB
- 供应商设备封装:PG-TO263-3
- 包装:剪切带 (CT)
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- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET N-CH 25V 80A D2PAK
- 系列:OptiMOS™
- 制造商:Infineon Technologies
- FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET特点:逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444:25V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:80A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:3.9 毫欧 @ 55A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):2V @ 60µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:32nC @ 5V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:3877pF @ 15V
- 功率_最大:107W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB
- 供应商设备封装:PG-TO263-3
- 包装:带卷 (TR)
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- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET N-CH 25V 80A TO-263
- 系列:OptiMOS™
- 制造商:Infineon Technologies
- FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET特点:逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444:25V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:80A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:3.9 毫欧 @ 55A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):2V @ 60µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:32nC @ 5V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:3877pF @ 15V
- 功率_最大:107W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB
- 供应商设备封装:PG-TO263-3
- 包装:Digi-Reel®
IPB04N03LA G详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET N-CH 25V 80A TO-263
- 系列:OptiMOS™
- 制造商:Infineon Technologies
- FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET特点:逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444:25V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:80A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:3.9 毫欧 @ 55A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):2V @ 60µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:32nC @ 5V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:3877pF @ 15V
- 功率_最大:107W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB
- 供应商设备封装:PG-TO263-3
- 包装:剪切带 (CT)
IPB04N03LA G详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET N-CH 25V 80A TO-263
- 系列:OptiMOS™
- 制造商:Infineon Technologies
- FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET特点:逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444:25V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:80A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:3.9 毫欧 @ 55A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):2V @ 60µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:32nC @ 5V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:3877pF @ 15V
- 功率_最大:107W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB
- 供应商设备封装:PG-TO263-3
- 包装:带卷 (TR)
IPB04N03LAT详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET N-CH 25V 80A D2PAK
- 系列:OptiMOS™
- 制造商:Infineon Technologies
- FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET特点:逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444:25V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:80A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:3.9 毫欧 @ 55A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):2V @ 60µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:32nC @ 5V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:3877pF @ 15V
- 功率_最大:107W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB
- 供应商设备封装:PG-TO263-3
- 包装:Digi-Reel®
- 摇臂 NKK Switches SWITCH ROCKER DPST 6A 125V
- FET - 单 Infineon Technologies TO-263-7,D²Pak(6 引线+接片),TO-263CB MOSFET N-CH 120V 180A TO263-7
- Card Edge, Edgeboard Connectors Sullins Connector Solutions CONN EDGECARD 62POS .100 EYELET
- FET - 单 Infineon Technologies TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB MOSFET N-CH 25V 80A D2PAK
- Card Edge, Edgeboard Connectors Sullins Connector Solutions CONN EDGECARD 38POS DIP .100 SLD
- AC DC 转换器 TDK-Lambda Americas Inc PWR SUP 24V 10A SNG OUTPUT
- FET - 单 Infineon Technologies TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB MOSFET N-CH 30V 80A TO-263
- Card Edge, Edgeboard Connectors Sullins Connector Solutions CONN EDGECARD 62POS .100 EXTEND
- AC DC 转换器 TDK-Lambda Americas Inc POWER SUPPLY 48V
- FET - 单 Infineon Technologies TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB MOSFET N-CH 25V 80A D2PAK
- Card Edge, Edgeboard Connectors Sullins Connector Solutions CONN EDGECARD 62POS DIP .100 SLD
- Card Edge, Edgeboard Connectors Sullins Connector Solutions CONN EDGECARD 40POS .100 EXTEND
- AC DC 转换器 TDK-Lambda Americas Inc POWER SUPPLY 48V
- FET - 单 Infineon Technologies TO-263-7,D²Pak(6 引线+接片),TO-263CB MOSFET N-CH 150V 130A TO263-7
- 固定式 Vishay Dale IND AXIAL THRU HOLE 15 10%