IDT70V27L20PF 全国供应商、价格、PDF资料
IDT70V27L20PF详细规格
- 类别:存储器
- 描述:IC SRAM 512KBIT 20NS 100TQFP
- 系列:-
- 制造商:IDT, Integrated Device Technology Inc
- 格式_存储器:RAM
- 存储器类型:SRAM - 双端口,异步
- 存储容量:512K (32K x 16)
- 速度:20ns
- 接口:并联
- 电压_电源:3 V ~ 3.6 V
- 工作温度:0°C ~ 70°C
- 封装/外壳:100-LQFP
- 供应商器件封装:100-TQFP(14x14)
- 包装:托盘
IDT70V27L20PF8详细规格
- 类别:存储器
- 描述:IC SRAM 512KBIT 20NS 100TQFP
- 系列:-
- 制造商:IDT, Integrated Device Technology Inc
- 格式_存储器:RAM
- 存储器类型:SRAM - 双端口,异步
- 存储容量:512K (32K x 16)
- 速度:20ns
- 接口:并联
- 电压_电源:3 V ~ 3.6 V
- 工作温度:0°C ~ 70°C
- 封装/外壳:100-LQFP
- 供应商器件封装:100-TQFP(14x14)
- 包装:带卷 (TR)
IDT70V27L20PFGI详细规格
- 类别:存储器
- 描述:IC SRAM 512KBIT 20NS 100TQFP
- 系列:-
- 制造商:IDT, Integrated Device Technology Inc
- 格式_存储器:RAM
- 存储器类型:SRAM - 双端口,异步
- 存储容量:512K (32K x 16)
- 速度:20ns
- 接口:并联
- 电压_电源:3 V ~ 3.6 V
- 工作温度:-40°C ~ 85°C
- 封装/外壳:100-LQFP
- 供应商器件封装:100-TQFP(14x14)
- 包装:托盘
IDT70V27L20PFGI8详细规格
- 类别:存储器
- 描述:IC SRAM 512KBIT 20NS 100TQFP
- 系列:-
- 制造商:IDT, Integrated Device Technology Inc
- 格式_存储器:RAM
- 存储器类型:SRAM - 双端口,异步
- 存储容量:512K (32K x 16)
- 速度:20ns
- 接口:并联
- 电压_电源:3 V ~ 3.6 V
- 工作温度:-40°C ~ 85°C
- 封装/外壳:100-LQFP
- 供应商器件封装:100-TQFP(14x14)
- 包装:带卷 (TR)
IDT70V27L20PFI详细规格
- 类别:存储器
- 描述:IC SRAM 512KBIT 20NS 100TQFP
- 系列:-
- 制造商:IDT, Integrated Device Technology Inc
- 格式_存储器:RAM
- 存储器类型:SRAM - 双端口,异步
- 存储容量:512K (32K x 16)
- 速度:20ns
- 接口:并联
- 电压_电源:3 V ~ 3.6 V
- 工作温度:-40°C ~ 85°C
- 封装/外壳:100-LQFP
- 供应商器件封装:100-TQFP(14x14)
- 包装:托盘
IDT70V27L20PFI8详细规格
- 类别:存储器
- 描述:IC SRAM 512KBIT 20NS 100TQFP
- 系列:-
- 制造商:IDT, Integrated Device Technology Inc
- 格式_存储器:RAM
- 存储器类型:SRAM - 双端口,异步
- 存储容量:512K (32K x 16)
- 速度:20ns
- 接口:并联
- 电压_电源:3 V ~ 3.6 V
- 工作温度:-40°C ~ 85°C
- 封装/外壳:100-LQFP
- 供应商器件封装:100-TQFP(14x14)
- 包装:带卷 (TR)
- 单二极管/整流器 IXYS ISOPLUS247? DIODE FRED 600V 9A ISOPLUS-247
- 陶瓷 Murata Electronics North America 1206(3216 公制) CAP CER 2.2UF 50V 10% X7R 1206
- 固定式 Vishay Dale 1210(3225 公制) INDUCTOR WW 180UH 5% 1210
- AC DC 桌面、壁式变压器 CUI Inc TRANSF 6VDC 2000MA P13 NEG C
- 电容器 Nichicon 径向,Can - 卡入式 CAP ALUM 180UF 420V 20% SNAP
- 时钟/计时 - 延迟线 Maxim Integrated 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) IC DELAY LINE 5TAP 175NS 8-SOIC
- 薄膜 Cornell Dubilier Electronics (CDE) 径向 CAP FILM 1UF 50VDC RADIAL
- 固定式 Vishay Dale 非标准 INDUCTOR POWER 3.3UH 2.94A SMD
- 固定式 Vishay Dale 1210(3225 公制) INDUCTOR WW 2.2UH 10% 1210
- 陶瓷 Murata Electronics North America 1206(3216 公制) CAP CER 1UF 100V 20% X7R 1206
- 时钟/计时 - 延迟线 Maxim Integrated 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) IC DELAY LINE 5TAP 20NS 8-SOIC
- 电容器 Nichicon 径向,Can - 卡入式 CAP ALUM 220UF 420V 20% SNAP
- 固定式 Vishay Dale 非标准 INDUCTOR POWER 47UH 1.07A SMD
- 薄膜 Cornell Dubilier Electronics (CDE) 径向 CAP FILM 0.12UF 50VDC RADIAL
- 固定式 Vishay Dale 1210(3225 公制) INDUCTOR WW 33NH 5% 1210