BD239C详细规格
- 类别:晶体管(BJT) - 单路
- 描述:TRANS NPN 100V 2A TO-220
- 系列:-
- 制造商:STMicroelectronics
- 晶体管类型:NPN
- 电流_集电极333Ic444(最大):2A
- 电压_集电极发射极击穿(最大):100V
- IbeeeIc条件下的Vce饱和度(最大):700mV @ 200mA,1A
- 电流_集电极截止(最大):300µA
- 在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444:15 @ 1A,4V
- 功率_最大:2W
- 频率_转换:-
- 安装类型:通孔
- 封装/外壳:TO-220-3
- 供应商设备封装:TO-220
- 包装:管件
BD239C详细规格
- 类别:晶体管(BJT) - 单路
- 描述:TRANSISTOR NPN 100V 2A TO-220
- 系列:-
- 制造商:Fairchild Semiconductor
- 晶体管类型:NPN
- 电流_集电极333Ic444(最大):2A
- 电压_集电极发射极击穿(最大):100V
- IbeeeIc条件下的Vce饱和度(最大):700mV @ 200mA,1A
- 电流_集电极截止(最大):300µA
- 在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444:15 @ 1A,4V
- 功率_最大:30W
- 频率_转换:-
- 安装类型:通孔
- 封装/外壳:TO-220-3
- 供应商设备封装:TO-220
- 包装:散装
BD239CTU详细规格
- 类别:晶体管(BJT) - 单路
- 描述:TRANSISTOR NPN 100V 2A TO-220
- 系列:-
- 制造商:Fairchild Semiconductor
- 晶体管类型:NPN
- 电流_集电极333Ic444(最大):2A
- 电压_集电极发射极击穿(最大):100V
- IbeeeIc条件下的Vce饱和度(最大):700mV @ 200mA,1A
- 电流_集电极截止(最大):300µA
- 在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444:15 @ 1A,4V
- 功率_最大:30W
- 频率_转换:-
- 安装类型:通孔
- 封装/外壳:TO-220-3
- 供应商设备封装:TO-220
- 包装:管件
- 配件 CBM America Corporation CNTRLR FOR MLT-389 THERMAL PRINT
- 矩形- 接头,插座,母插口 FCI CONN RCPT 94POS .100" DBL GOLD
- 固定式 EPCOS Inc SMT-INDUCTOR 10*10 68UH
- 固定式 EPCOS Inc HF-CHOKE HBC 10UH 10%
- 电容器 EPCOS Inc AL-ELKO SNAP IN 330UF 200V
- 薄膜 EPCOS Inc FILM CAP 2.7NF 5% 2000V MKP
- 矩形- 接头,插座,母插口 FCI CONN RCPT 54POS .100" DBL GOLD
- 电容器 EPCOS Inc 100UF 400V 22X30 SI
- 矩形- 接头,插座,母插口 FCI CONN RCPT 100POS .100" DBL GOLD
- 电容器 EPCOS Inc AL-ELKO SNAP IN 470UF 200V
- 固定式 EPCOS Inc HF-CHOKE LBC 10UH 10%
- 矩形- 接头,插座,母插口 FCI CONN RCPT 62POS .100" DBL GOLD
- 薄膜 EPCOS Inc FILM CAP 4.7NF 10% 2000V MKP
- 电容器 EPCOS Inc 120UF 400V 25X25MM SNAP IN
- 晶体管(BJT) - 单路 Fairchild Semiconductor TO-220-3 TRANSISTOR NPN 45V 2A TO-220