晶体管触发电路 在要求触发功率大,输出电压与控制电压线性好的晶闸管整流设备中,常采用晶体管触发电路。同步电源电压zt9对C1充电,C1对R1、L放电的结果是在C1两端获得近似的锯齿波・dk为加在Ⅴ昭管输人回路中的直流控制电压。

ud和饥叠加后加在ⅤT~s基极和发射极之间,控制ⅤT3的截止和导通。当ⅤI3由截止变为导通时,变压器TM二次侧便产生输出脉冲乙G去触发晶闸管。

改变控制电压σk的大小,就可以改变Ⅴη的截止与导通时刻,即进行了移相调整。

二极管、三极管的开关特性,晶体二极管的开关特性,在二极管开关电路中,当输人为高电平H时,二极管正向稳定导通,在负载RL上获得一个除去二极管压降的高电平。

当输入为不超过反向击穿电压的低电平σL时,二极管反向稳定截止,电路中只有二极管的反向漏电流存在。二极管由截止到导通所需的时间极短,可以忽略,但由导通转为截止过程(称反向恢复过程)所需的时间(反向恢复时间)不可忽略(为纳秒级)。

三极管的开关特性 三极管作为开关应用时,常采用共发射极接法。

单结晶体管触发电路 单结晶体管又称双基极管,有三个引出脚,内部只有一个PN结,其结构与符号。当加在单结晶体管发射极上的电压σE高于峰点电压时,PN结导通。当叽低于谷点电压时,PN结截止。

单结晶体管的结构和符号,a)结构 b)符号 c)等效电路.电容C放电后,吼下降,到低于谷点电压时,单结晶体管截止。

改变RP的阻值可改变电容C充放电的快慢,即改变了加在晶闸管门极上第一个触发脉冲的时刻(改变了控制角α的大小),也就改变了可控整流输出电压的高低,实现了可控整流。